微导纳米国内光伏ALD设备龙头,TOPC

（报告出品方/作者：招商证券，鄢凡，曹辉）

1、国内光伏薄膜沉积设备龙头，半导体领域加速拓展

微导纳米以ALD技术为核心，光伏设备快速量产出货，半导体设备加速验证。江苏微导纳米公司成立于年，以ALD技术为核心，主营光伏和半导体领域的先进微、纳米级薄膜沉积设备。年，公司研制成功一代机KF；-年，公司加速推广ALD设备进入头部电池片企业；-年，公司研制成功光伏高端机型并获得订单，同时半导体领域ALD设备完成研制并取得订单；年至今，公司加速TOPCon电池设备量产导入，半导体设备也开始贡献收入。

目前，在光伏领域，公司覆盖包括通威、隆基、晶澳、阿特斯、天合光能等多家知名太阳能电池片厂商，用于TOPCon新型高效电池生产线的产品已在客户现场验证；在半导体领域，公司实现国产ALD设备在28nmHigh-K介质层（高介电常数栅氧层）的突破，已于多家国内厂商及验证平台签署了保密协议并开展产品技术验证等合作，另外，公司还拓展了柔性电子等其他领域的应用。

微导纳米实际控制人为公司董事长家族，自然人持股比例较高。公司实际控制人为王燕清、倪亚兰和王磊，三人通过万海盈投资、聚海盈管理和德厚盈投资间接控制公司67.34%的股份，其中王燕清和倪亚兰系夫妻关系，王磊为二者之子同时任公司董事长。聚海盈管理、德厚盈投资为公司实际控制人的一致行动人，其中聚海盈管理的普通合伙人和王磊、德厚盈投资的普通合伙人为王燕清，聚海盈管理也为公司员工持股平台；公司核心技术人员黎微明和李翔分别持股10.47%和4.93%，公司副总经理、光伏事业部总经理胡彬持股3.08%，公司技术总监潘景伟持股2.2%；公司其他股东包括问鼎投资、中芯聚源绍兴基金、瑞华投资等国有一级资本和私募基金等。

2、公司营收主要来自PERC电池设备，TOPCon、HJT电池及IC设备贡献新增长动力

下游需求不断增长同时国产化率提高，公司主营业务增长迅速。公司收入从年的0.42亿元增长至年的4.28亿元，CAGR为%，年前三季度公司收入3.85亿元，同比增加66.8%，公司业务增长迅速，主要系光伏行业需求不断增长同时公司产品不断放量。-年，全国晶硅太阳能电池片产量分别为.6GW、.8GW、.9GW，CAGR为35%，带动光伏设备需求不断增长；PERC电池是当前产能最大的高效电池，市场占比从年的33.5%提升至年的91.2%，PERC电池产线持续建设和升级也带动公司订单量大幅增长。公司预计全年收入为5.91-6.78亿元，同比增长38.1%-58.4%。

公司主要收入来自光伏PERC电池设备及相关配套服务业务，半导体设备自年开始贡献收入。从产品结构来看，公司光伏设备占比最高，历年收入占比基本超90%。年，公司配套产品及服务业务大幅增加，主要系公司在持续开拓市场并自年起实现设备批量销售后，针对太阳能电池片大尺寸化以及生产工艺技术提升的变化，部分客户对在役设备的改造需求增加，公司在年度陆续执行完成。在半导体领域，公司ALD设备和真空传输系统分别从年和年开始贡献收入，公司年和年前三季度半导体设备收入分别为和万元。

公司年至今毛利率有所下滑，主要系产品结构变化。-年，公司主营业务毛利率基本保持稳定。年，公司主营业务毛利率同比有所下降，主要系专用设备毛利率有所下降所致。上半年，公司主营业务毛利率较年有所下降，主要系配套产品及服务的收入占比下降所致。前三季度，公司毛利率为37.1%。

专用设备：PERC电池片用PECVD和PEALD设备占比提升，整体毛利率近年来有所下滑。-年，公司收入均来自ALD设备，毛利率基本稳定；年和上半年，公司专用设备毛利率有所下滑，主要系新推出的PECVD设备、PEALD二合一平台设备毛利率较低，而收入占比超45%，导致整体毛利率下滑。PERC电池年市场占比超过80%，而下游电池片厂商的经营成本上升，PERC电池技术进一步降本增效的压力传导至光伏设备制造商，公司同类产品竞争加大。公司新推出的夸父（KF）管式PECVD系统、祝融（ZR）管式PEALD系统于PERC技术路线的应用在市场上已存在成熟的竞争方案，参考市场水平定价，毛利率偏低；

配套产品及服务：毛利率相对稳定，并且远高于专用设备毛利率。①设备改造业务以相对于整体更换设备较低的价格对客户现有设备进行改造，使其在尺寸、工艺方面能够紧跟市场变化，大幅降低了客户的设备更新成本，附加值较高；②公司备品备件主要为专用设备配件，均为定制化产品，下游客户需向公司采购并进行更换，公司拥有一定的定价权，从而导致销售毛利率较高。公司研发投入持续增加，自年以来期间费用率逐年增加。在-年，由于公司产品快速放量，规模效应带来期间费用率显著下降；在-22H1，公司期间费用率逐年增加，主要系公司半导体领域研发投入持续增加。尤其是22Q2，公司收入受无锡及周边疫情影响同比下滑，但研发投入持续增长，导致期间费用率显著上升。

公司在-年实现稳定盈利，年净利润有所承压。公司在-年稳定盈利，但年和前三季度归母净利润及扣非净利润均同比下滑，前三季度甚至亏损，主要系公司收入结构变化导致主营业务毛利率有所波动，且设备产品验收周期长，导致收入确认与因订单增加而相应增加的管理、销售费用周期不一致，以及公司持续加大研发投入，导致研发费用增加所致。公司预计年归母净利润为-万元，同比-50.1%~-8.9%；预计扣非归母净利润为-万元，同比-77.5%~-17.6%。

公司存货和合同负债自22Q3大幅增长，当前在手订单饱满。从存货结构来看，截至22H1，公司存货共5.73亿元，其中发出商品为3.29亿元，截至22Q3，公司存货增加至7.62亿元；截至22Q3，公司合同负债较22Q2末增长1.5亿元至4.24亿元；截至年9月末，公司在手订单合计19.75亿元，其中专用设备在手订单18.56亿元，设备改造业务在手订单1.15亿元，专用设备中ALD设备占比为85.66%；另外，截至22H1，公司半导体设备在手订单金额为1.5亿元。公司从订单到确认收入一般6-14个月，按照确认节奏测算，公司年收入有望保持健康增长态势。

1、ALD工艺采用逐层镀膜的方式，制备的薄膜均匀性、致密性等更好

薄膜沉积工艺主要分为物理和化学方法两类，细分工艺包括PVD、CVD、ALD等。薄膜沉积设备通常用于在基底上沉积导体、绝缘体或者半导体等材料膜层，使之具备一定的特殊性能，可用物理或化学方法制备。1）物理方法：指利用热蒸发或受到粒子轰击时物质表面原子的溅射等物理过程，实现物质原子从源物质到衬底材料表面的物质转移。物理方法包括物理气相沉积（PhysicalVaporDeposition，PVD）、旋涂、电镀（Electrondeposition/Electroplating，ECD/ECP）等；

2）化学方法：把含有构成薄膜元素的气态反应剂或液态反应剂的蒸汽，以合理的气流引入工艺腔室，在衬底表面发生化学反应并在衬底表面上沉积薄膜。化学方法包括化学气相沉积（ChemicalVaporDeposition，CVD）和外延（Epitaxy，EPI）等，CVD按照反应条件（压强、温度、反应源等）不同又可分为常压CVD（APCVD）、低压CVD（LPCVD）、等离子增强CVD（PECVD）、次常压CVD（SACVD）、高密度等离子体CVD（HDP-CVD）、流体CVD（FCVD）、原子层沉积（ALD）、外延等。物理方法主要用于沉积金属导线及金属化合物薄膜等，而一般的物理方法无法实现绝缘材料的转移，需要化学方法通过不同气体间的反应来沉积，另外部分化学方法也可以用来沉积金属薄膜。

ALD技术通过将气相前驱体脉冲交替地通入反应室并在沉积基底上发生表面饱和化学反应，特点是逐层形成薄膜。ALD技术广泛适用于光伏、半导体、柔性电子等新型显示、MEMS、催化及光学器件等诸多领域。典型的热原子层沉积（TALD）技术是利用加热为薄膜沉积过程中的化学吸附提供活化能，通过ALD镀膜设备可以将物质以单原子层的形式一层一层沉积在基底表面，每镀膜一次/层为一个原子层，根据原子特性，镀膜10次/层约为1nm。

ALD技术相较PVD和CVD特点是制备的薄膜均匀、致密性、台阶覆盖率更优良。由于ALD技术表面化学反应具有自限性，因此拥有多项独特的薄膜沉积特性：1、三维共形性，广泛适用于不同形状的基底；2、大面积成膜的均匀性，且致密、无针孔；3、可实现亚纳米级的薄膜厚度控制。相较传统CVD、PVD技术，ALD技术制备的薄膜均匀性更强、阶梯覆盖率更高，更适用于新型光伏电池片及半导体先进制程领域的镀膜。

2、光伏电池片技术正从PERC向TOPCon等升级，有望带来设备百亿元增量空间

太阳能电池片以P型或N型电池片为原材料，分为PERC、TOPCon、HJT等工艺。太阳能电池片技术路线主要包括铝背场电池（Al-BSF）、PERC、TOPCon、异质结（HJT）、背接触（IBC）及钙钛矿等，P型电池以P型硅片为原材料，技术路线包括传统的铝背场技术以及目前非常成熟的PERC技术；N型电池以N型硅片为原材料，技术路线包括TOPCon、HJT等，近年来已有厂商陆续开始布局，属于下一代高效电池技术路线的潜在方向，而IBC和钙钛矿为未来技术，尚处于实验和验证阶段。

TALD、PECVD和PEALD等工艺主要用于沉积光伏电池片正背面的Al2O3和SiNx，以及隧穿层SiO2和多晶硅等薄膜。按照光伏电池产业链，可将光伏设备分为硅片设备、电池片设备、组件设备，其中硅片设备主要包括多晶铸锭炉、单晶炉、切片机、切断机、硅片检测分选设备等；电池片设备主要包括清洗制绒设备、扩散炉、刻蚀设备、镀膜设备、激光开槽设备、丝网印刷机等；组件设备主要包括划片机、自动串焊机、自动叠层设备、层压机、自动包装机等。从光伏电池片结构来看，PERC电池主要由钝化层、铝层、P型硅组成；TOPCon结构包含N型硅、钝化层，还包括超薄隧穿层和减反射膜；HJT电池在晶体硅上沉积非晶硅薄膜，综合了晶体硅电池与薄膜电池的优势。

1）Al2O3薄膜：对PERC背面和TOPCon正面等提供钝化功能。钝化工序就是通过降低硅片表面电子空穴的复合来降低缺陷带来的影响，从而保证电池的光电转换效率。当光线照射在晶硅太阳能电池上表面且被吸收，具有足够能量的光子能够在P型硅和N型硅中将电子激发，从而产生电子－空穴对。电子和空穴在复合之前，将形成一个向外的可测试的电压。硅片表面的杂质和缺陷会对晶硅太阳能电池片的性能造成负面影响，导致电子空穴复合。Al2O3由于具备较高的负电荷密度，可以对P型半导体如PERC电池背面和TOPCon电池的正面提供良好的场效应钝化，即在近表面处增加一层具有高度稳定电荷的介质膜在表面附近造一个梯度电场，减少表面电子浓度从而降低表面电子空穴的复合速率；

2）SiNx薄膜：用于电池背面钝化层的保护及电池正面的钝化。在PERC电池背面，为了避免后续金属化烧结过程铝浆对Al2O3钝化膜的破坏，SiNX依靠其化学稳定性，主要用于背部钝化膜的保护；在PERC电池正面，由于SiNX富含氢原子，可以在热处理过程中对表面和体内的缺陷进行化学钝化，从而降低表面电子的复合。同时由于SiNX的光学特性，还可以实现PERC电池正面和背面减反效果；

3）SiO2隧穿层和多晶硅层：存在于TOPCon电池中，作用是提升最终转换效率。TOPCon电池正面与常规N型太阳能电池结构相同，主要区别在于电池背面制备一层1～2nm的隧穿氧化层，然后再沉积一层掺杂多晶硅，二者共同形成了钝化接触结构，有效降低表面复合和金属接触复合。由于超薄氧化硅和重掺杂硅薄膜良好的钝化效果，硅片表面能产生弯曲，从而形成场钝化效果，电子隧穿的几率大大增加，接触电阻下降，最终提升转换效率。

光伏电池片工艺正在从PERC向TOPCon和HJT等新型工艺转变，直接体现在转换效率的提升。根据SiliconPV，在不同电子/空穴选择性材料结合时，PERC电池理论极限效率为24.5%，HJT可达27.5%，双面TOPCon最高可达28.7%，但从实际量产情况来看，转换效率一般为HJTTOPConPERC，光伏转换效率的提升促进PERC电池片加速向TOPCon和HJT等转变。根据中国光伏行业协会数据，-年的新建量产产线以PERC电池产线为主，PERC电池片在年的市场占比达到91.2%；根据CPIA，到年，TOPCon电池和HJT电池占比将合计达到超30%，到年，二者占比合计将超50%。

以TOPCon电池片为例，TOPCon相较PERC对ALD等镀膜设备需求的推动主要来自于：产线投资额提升、薄膜沉积设备投资额占比提升、TOPCon对原有PERC电池产线的改造、ALD等设备在TOPCon产线具备独特优势。新建TOPCon产线相较PERC电池片单GW设备投资额显著提升：根据CPIA，PERC电池片设备投资额大约1.2-1.3亿元/GW，年TOPCon新建电池片设备投资额增加至2.2亿元/GW，HJT电池片设备投资额为4亿元/GW；

TOPCon电池片产线相较PERC产线对薄膜沉积设备投资额占比也提升明显：由于TOPCon电池生产线可以由现有PECR电池生产线升级改造完成，而且目前TOPCon电池生产线单位投资规模和运营成本明显低于HJT电池生产线，因此TOPCon电池生产线在N型电池线建设中进展显著。根据上市公司披露的项目投资明细，TOPCon（含未披露具体技术类型的N型电池）产线每GW平均投资规模高于PERC产线。以微导纳米为例，公司主营的ALD、PECVD、PEALD等光伏设备在PERC产线建设中的投资占比为24.71%-26.73%，在TOPCon（含N型电池）产线建设中的投资比重上升至33.00%-39.12%；

TOPCon可直接对PERC产线进行升级改造带来增量需求，而HJT整体产线结构需要较大改动：TOPCon电池升级迭代的最大优势在于其与PERC产线兼容度高，可从PERC产线改造升级，是目前初始投资成本最低的N型高效电池之一，单GWPERC升级为TOPCon电池成本大约-万元。HJT电池整体结构变化较大，其制造环节只需4大类设备，分别是制绒清洗设备（投资占比10%）、非晶硅沉积设备（投资占比50%）、透明导电薄膜设备（投资占比25%）和印刷设备（投资占比15%），其中非晶硅沉积设备、透明导电薄膜设备均需要用到薄膜沉积设备；ALD工艺在光伏新型电池片工艺如TOPCon中具备优势：由于ALD技术的表面化学反应具有自限性，因此拥有优异的三维共形性、大面积成膜的均匀性和精确的膜厚控制等特点，在技术更加先进的光伏电池片及半导体制造工艺中，ALD工艺优势更加明显。

光伏电池片设备国产化率较高，捷佳伟创、理想晶延等占据光伏薄膜沉积设备主要份额。国内光伏薄膜沉积设备厂商包括主要采用ALD技术的微导纳米、无锡松煜、理想晶延，以及主要采用PECVD技术的捷佳伟创、北方华创、红太阳、拉普拉斯、Centrotherm（商先创）等，国产光伏设备基本实现国产替代。根据中国光伏业协会，年在国内光伏薄膜沉积设备市场中，微导纳米排名第5，市场份额不足10%，但公司在国内光伏ALD设备市场中市占率连续两年位居第一。

3、全球半导体ALD设备市场大约22亿美元，先进制程和新型存储等带来增量需求

全球薄膜沉积设备市场空间超亿美金，大陆占比大约25%。全球资本支出中大约80%用于晶圆制造设备，根据SEMI数据，年全球半导体设备销售额大约亿美元，其中前道制造设备占比约80%，薄膜沉积设备占前道晶圆制造设备总投资的25%，据此测算年全球半导体薄膜沉积设备市场空间超亿美元，同时MaximizeMarket预计到年全球市场空间有望达亿美元。根据MaximizeMarket数据，年大陆薄膜沉积设备市场占比大约25%，市场空间超45亿美元。

CVD在薄膜沉积设备市场中占比最高，ALD占比大约11%。CVD方法覆盖前段和后段工艺的大部分薄膜，是应用最广泛的薄膜沉积技术，CVD占整体市场大约75%，其中PECVD/ALD/LPCVD分别占整体市场33%/11%/11%；PVD最主要用于沉积金属薄膜，而金属薄膜用于后段工艺中的金属层和前段的金属栅极，应用场景相较CVD有限，PVD占整体市场比例大约19%；SACVD及其他设备最主要用于填孔，典型应用场景是浅槽隔离等，应用更为有限，占整体市场约6%。

全球半导体薄膜沉积设备市场集中度较高，ALD设备主要被TEL和ASM垄断。由于薄膜沉积设备行业壁垒高，海外厂商成立较早，在覆盖的薄膜和工艺方面不断突破，因此行业集中度较高。目前全球薄膜沉积设备市场基本上由AMAT、LAM、TEL等垄断，其中在PVD设备领域，AMAT为绝对龙头，份额85%左右；在CVD领域，AMAT、LAM、TELCR3占比合计超80%；在ALD设备领域，由于ALD是先进制程所用的新兴工艺，因此玩家较多，TEL和ASM分别在DRAM电容和HKMG工艺率先实现产业化应用，年TEL和ASM两家合计占比约60%。

常见的双重曝光技术包括自对准和光刻-刻蚀-光刻-刻蚀两种。a.自对准双重图形化（Self-alignedDoublePatterning，SADP）技术：利用先进浸没式光刻机形成节距较大的线条，再利用侧墙图形转移的方式形成1/2节距的线条，这种方法大大降低对光刻机的要求，但一般比较适合线条排列规则的图形层；b.光刻-刻蚀-光刻-刻蚀（Litho-etch-litho-etch，LELE）双重图形化技术：将图形按一定算法拆分成两层并分别制作掩膜版，首先将第一张掩膜版曝光并刻蚀，将图案转移到硬掩膜上，然后进行第二张掩膜版曝光，利用第2次曝光形成的光刻胶和第1次刻蚀形成的硬掩膜作为阻挡进行第二次刻蚀，同时将两层掩膜版的图形转移到目标晶圆上。

多重曝光工艺是ALD在国内应用的最大市场。由于全球EUV光刻机只有ASML生产，并且主要销往TSMC等客户，国内中芯南方、华力微等产线使用DUV光刻机，但采用多重曝光方法作为向EUV光刻技术的过渡，实现28nm以下制程节点的光刻。在多重曝光中，可以使用ALD技术，使用20nm的光刻技术也能沉积出10nm甚至以下制程的侧墙等薄膜。

1、公司光伏产品系列均实现产业化应用，头部客户覆盖率高

光伏行业市场集中度较高，公司产品对行业内领先的电池片厂商实现较高的客户覆盖率。根据中国光伏行业协会统计，年我国产能排名前十的电池片企业总产能达到.1GW，约占全国总产能的68.2%，总产量合计约为GW，约占全国总产量的78.3%。公司与前十名电池片企业均建立了合作关系。随着主要客户市占率的不断提升，公司产品的市场渗透率不断提升。公司目前已取得无锡尚德、通威太阳能、晶科能源、商洛比亚迪等公司TOPCon产线设备的订单。

2、公司半导体设备大部分处于产业验证阶段，在28nmHigh-K栅氧化层实现量产

公司半导体设备布局ALD、PECVD、PE-ALD二合一机台三大产品线，多处于产业验证阶段。公司率先在28nm高k栅氧化层实现量产，采用HfO2工艺（一种介质材料），用于存储端的高k栅电容介质层设备和用于第三代半导体、显示领域等半导体设备均处于产业验证阶段。

栅极工艺是集成电路工艺中最关键的步骤，直接影响IC性能，主要用多晶硅/金属作为栅极，用SiO2、SiON、高k介质（HFO2、HfSiOx、HfSiON等）作为栅氧化层，其中薄膜沉积的壁垒在于保证栅氧化层尽可能薄。栅极制作中需要用到最先进的光刻、刻蚀与薄膜沉积工艺及设备，一般在45nm以上制程中，使用氧化方法制备SiO2作为栅氧化层，在栅氧化层上通过CVD方法沉积多晶硅并经过刻蚀形成多晶硅栅；制程进步要求栅氧化层不断减薄来维持栅电容，但在45nm以下制程之后，栅氧化层厚度低于1.5nm，器件漏电流大幅增加，不得不选用介电常数更高的高k介质替代传统SiO2作为栅氧化层，相当于在维持同样栅电容同时增加了等效栅氧化层厚度，同时，由于金属/金属化合物可以降低电阻率等，避免多晶硅栅的耗尽效应，在45nm制程之后逐渐替代多晶硅作为栅极。

高k介质包括HFO2、HfSiOx、HfSiON等，用于在栅极氧化层中替代多晶硅栅中的SiO2。晶体管尺寸不断减小，需要维持足够栅电容来保证栅控能力，因此要求栅氧化层厚度继续减薄，然而在栅氧化层物理厚度减薄到低于1.5nm时，器件漏电流大幅增加，因此需要用高介电常数k的介质替代SiO2来维持栅极保持高电容，这样可以在等效栅氧厚度（EquvalentOxideThickness，EOT）持续缩小的前提下，使栅介质的物理厚度相对较大，来减少栅介质漏电流。

公司机台核心技术指标接近国际厂商水平，在28nmHigh-K介质层沉积实现国产突破。高介电常数（High-k）栅氧薄膜工艺是半导体先进制程中难度较大的工艺之一，公司设备在该环节已实现产业化应用，公司是国内首家成功将量产型High-kALD设备应用于28nm节点IC制造产线的国产设备厂商。国内同业方面，公司与拓荆科技已产业化应用的ALD设备在技术原理和产业应用不同，公司ALD设备为TALD，使用热反应原理，用于高K栅介质层的沉积；拓荆科技ALD设备为PEALD，采用等离子原理，主要沉积介质薄膜，用于SADP工艺和STI工艺；国外同业方面，公司直接销售机型总体性能和关键性能指标已达到海外主要机型水平。

1、光伏设备（1）ALD设备-年，公司光伏设备中ALD设备销量分别为8/38/59/22台，单价分别为.25/.44/.06/.95万元，年销量回落主要系公司订单结构从PERC向新型高效电池如TOPCon等设备调整，年单价明显提升主要系单台设备产能扩大。考虑到下游TOPCon、XBC、HJT等新型高效电池当前扩产规划超GW，-年将迎来扩产高峰，并且ALD设备在TOPCon正面镀膜具有技术优势，公司在上半年开标的TOPCon产线中正面Al2O3钝化层制备均使用ALD技术。根据公司招股书，截至22Q3，公司在手订单19.75亿元，其中ALD设备约15.9亿元，光伏ALD设备占主要比重，考虑到公司从订单到确认收入周期约6-14个月，因此预计公司-年光伏ALD设备销量将持续增长，尤其是年有望迎来高速增长。

公司ALD设备单价随单台产能提高而提升，年公司主要光伏ALD设备为KF、KF，产能分别为片/h、片/h，均价.25万元；年，公司KFS实现销售，产能超片/h，带动整体均价上升至.95万元。考虑到公司年更大产能的KF1、KF00实现量产，参考22H1单价.16万元，我们预计公司-年设备单价分别为、、万元。公司光伏ALD设备毛利率自-年持续下降，主要系市场竞争加剧所致，我们预计-年公司光伏ALD设备毛利率下滑，参考22H1毛利率53.54%，预计-年毛利率分别为44%、43%、42%。

（2）PECVD和PEALD设备和22H1，公司PECVD设备销量分别为19台和8台，单价分别为.9和.9万元；PEADL设备销量分别为17和12台，单价分别为.3和.2万元。公司年及之前PECVD和PEALD设备主要用于PERC领域，PERC电池片技术方案较为成熟，市场竞争相对激烈，公司参考市场水平定价，因此毛利率较低，均不足20%；截至22H1，公司尚未验收的PECVD和PEALD设备主要用于TOPCon电池领域，TOPCon电池与成熟的PERC电池领域相比，竞争格局尚未明确，公司设备与其他竞品共同发展，因此销量有望持续增长，单价和毛利率均有提升空间。

（3）其他设备公司其他光伏设备包括羲和系列扩散、退火、氧化炉等，主要用于TOPCon等高效电池片生产，考虑到下游新型高效电池持续扩产，-年TOPCon产线将快速发展，因此假设公司其他设备销量稳步增长，假设-年其他光伏设备销量为30、40、50台，单价为万元，毛利率假设为25%不变。

2、半导体设备公司半导体设备主要包括凤凰（P）系列原子层沉积设备、凤凰（PLite）轻型原子层沉积镀膜设备、麒麟（QL）系列原子层沉积镀膜系统和龙（Dragon）系列真空传输系统。SEMI预测-年全球ALD设备年复合增长率26.3%，高于其他薄膜沉积设备增速，考虑到公司是半导体国内率先实现28nmhigh-k栅氧化层应用的ALD厂商，因此预计将持续受益于行业高增长。参考截至22H1公司半导体设备在手订单1.5亿元，假设-年公司半导体设备收入为万元、1亿元、2.5亿元。伴随降本增效，假设公司-年毛利率为45%、47%、49%。

3、柔性电子设备目前公司产品为FlexGuard（FG）系列卷对卷原子层沉积镀膜系统，主要为OLED等各类柔性电子器件镀膜实现阻水阻氧保护。目前首台设备已在客户现场验证，并已获得客户重复订单。预计随着市场导入及客户拓展，公司ALD原子层沉积设备营收逐步提升，假设-年收入分别为0//万元，毛利率稳定在45%。

4、配套产品及服务（1）设备改造A.工艺改造客户对于设备尺寸的需求来自于光伏市场上硅片大尺寸化的发展趋势，近年来，光伏电池片在mm、mm、mm乃至mm逐步升级过程中。年，mm硅片的市场份额从年初的约20%快速增长至年末的约70%，公司在当年承接了较多的mm尺寸改造订单并在年度陆续执行完成。自年以来，mm、mm的大尺寸硅片的市场份额正在迅速提高，公司目前的设备改造在手订单主要为mm尺寸改造订单。

B.尺寸改造公司臭氧工艺取得突破后进行市场推广，较原水工艺相比可增加硅片的少数载流子寿命，增强薄膜钝化效果，使存量产线生产的电池光电转换效率提升0.08%。随着TOPCon等新型电池技术的发展，公司也在探索并开发新的工艺路线。如为新型电池技术增加反应源装置等新工艺技术的开发应用也可为公司设备改造业务带来后续业务机会。综上所述，公司设备改造业务均为对自身实现销售的在役设备进行改造，预计随着设备累计销量的增长将持续产生后续设备改造业务机会，其业务规模受光伏电池硅片大尺寸化趋势、公司臭氧工艺的推广以及新工艺开发及应用而不断扩大，假设-年整体增速为5%、10%、10%，毛利率参考历史水平假设为70%。

（2）备品备件及服务备品备件及其他业务主要包括备品备件销售及其相关服务收入。公司专用设备在运行过程中，部分零部件（如一体舟、颗粒捕捉器、陶瓷吸盘、喷淋板等）会出现正常损耗，因此，下游客户需向公司采购易损耗的备品备件。此外，在设备运行过程中，公司根据客户需要为其提供载具清洗、耗材更换等相关服务。假设-年收入增速保持20%，毛利率参考历史水平维持75%。

5、期间费用率随着公司不断拓展产品品类，销售及管理人员和研发投入预计持续增长，但考虑到公司在TOPCon等新型光伏电池片的快速放量和半导体领域的持续拓展，预计收入规模快速增长，期间费用率将持续下降。我们预计-年销售费用率为7.2%、6.7%、6.2%，管理费用率为7.6%、7.0%、6.5%，研发费用率为21.0%、20.5%、20.0%。公司上市拟募资10亿元，假设自-年募投资金剩余分别为7亿元和4亿元，按照3%利息计提财务费用。

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