今天分享的是储能系列深度研究报告：《HJT行业发展趋势分析报告》。
一、行业概况
1、电池片处于技术变革期，第三代技术百家争鸣
PERC电池接近效率极限，第三代电池处于快速发展期。随着光伏电池片持续提效，PERC电池最高量产效率已突破24%，持续逼近效率极限24.5%，行业降本增效驱动下，第三代电池片技术正快速发展。第三代电池技术主要包含TOPCon、HJT和xBC，其中TOPCon和HJT具有更高的双面率，主要应用于地面电站项目，xBC由于具备更好的外观通常应用于分布式项目。
TOPCon与PERC设备兼容性较好，短期发展迅速。与PERC电池相比，TOPCon电池通过增加一层超薄隧穿氧化层，将金属电极与硅金属隔离，利用量子隧穿效应实现电流传输。TOPCon相比PERC主要增加了隧穿氧化层的制备，工艺兼容性较好，在晶科能源大力发展带动下，TOPCon短期发展迅速。
HJT优势明显，降本空间较大，后续有望快速发展。HJT具有产品转换效率高、无光衰、温度系数低、弱光响应高等优点，且由于是双面对称加低温工艺，易于薄片化降本。HJT设备投资较大，但工序较少，未来降本空间大，后续通过降本增效有望迎来快速发展。
2、HJT电池又称为异质结太阳电池，为对称双面结构，形成P-N结
HJT电池全称为晶体硅异质结太阳电池，由晶硅材料和非晶材料形成，在晶体硅上形成非晶体薄膜，并通过特殊的技术让P型和N型半导体构成一种特殊的PN结，本身属于N型电池的一种。HIT（HeterojunctionwithIntrinsicThinfilm）电池最早由日本三洋公司于年成功开发，因HIT已被三洋注册为商标，因此又被称为HJT、HDT、或SHJ。HJT也即本征薄膜异质结，结构为对称双面电池，中间是N型晶体硅，在正面依次沉积本征非晶硅薄膜与P型非晶硅薄膜，形成P-N结。同时，在硅片的背面依次沉积本征非晶硅薄膜和N型非晶硅薄膜，形成背表面场。而电池的两侧沉积透明导电薄膜（TCO）来进行导电，解决非晶硅导电性较差的问题。最后应用丝网印刷技术形成双面电级。
之所以HJT能够实现高转化效率是由于其技术很好地解决了常规电池掺杂层和衬底接触区域的高度载流子复合损失问题。其技术核心是在PN结之间插入了本征非晶硅层作为缓冲层，而本征非晶硅层对晶体硅表面有优秀的钝化作用，可以大幅避免载流子的复合，实现较高的少子寿命和开路电压。完整版《HJT行业发展趋势分析报告》来源于