（报告出品方/浙商证券，邱世梁、王华君）
1.光伏电池片：未来5年迎重大技术变革！设备受益迭代需求
光伏行业：由政策+技术驱动，行业发展犹如“长江后浪推前浪”，伴随每一代技术进步，中国出现了尚德、英利、协鑫、隆基、通威等一批又一批的光伏行业龙头。
未来5年：电池片是光伏产业链重大技术变革环节，设备受益迭代需求。
技术发展史：铝背场BSF电池（1代，年以前）→PERC电池（2代，年至今）→PERC+/TOPCon（2.5代）→HJT电池（3代）→HBC电池（4代，可能潜在方向）→钙钛矿叠层电池（5代，可能潜在方向）。
光伏行业的核心是“降本+升效”、降低度电成本。单晶电池技术的不断迭代，带来转换效率从年的19%上升至年的23%-24%，预计未来有望迈向30%。
2.PERC：效率已近天花板；HJT、TOPCon将迎爆发
2.1.PERC电池：效率瓶颈将至，HJT、TOPCon迎市场升级迭代需求
PERC为目前市场主流技术路径，仍具备几年生命期，但产线扩张即将进入尾声。
1)据不完全估计，年主流PERC电池片厂商规划的新增产能达GW、为历史最高值，主要因大尺寸技术迭代小尺寸所致。
2)但PERC转换效率已接近24%的理论极限，未来提高空间有限。此外，PERC电池存在PID、LID、LeTID等衰减，后期发电能力弱。
3)预计年PERC扩产潮将达到顶峰、此后各大厂商再扩PERC产能意愿有限，更多精力将用于布局HJT、TOPCon等新技术路径电池。
2.2.复盘PERC历史：重视技术变革带来的产业机会！行业爆发力极强
复盘PERC电池的发展历程，可基本分为三个阶段。
1)第一阶段，PERC电池尚处于技术验证阶段，技术路线可行性在此阶段得到验证，产能规划多为试验产能扩张，设备以进口为主。
2)第二阶段，PERC技术的成熟推动电池产能的扩张，实现GW级批量出货，新型电池的市占率逐步提升，国产设备开始发力。
3)第三阶段，国产设备的投资降本显著提高PERC电池利润，在高利润的驱动下，GW级扩产项目爆发式增长，PERC电池的市占率大幅提升，迅速取代BSF电池。
1)-年：PERC电池小规模量产，设备供应由国外厂商主导
PERC电池技术处于工艺验证阶段，逐步实现小规模量产。年，由中电光伏牵头的“”专项的启动标志PERC电池正式在我国开启产业化进程。这一阶段，PERC电池转换效率已提升至20.4%，但由于技术尚未成熟，该阶段的产能布局多为试验产能扩张。
设备端：国外PERC电池设备供应商占据主导地位，国产设备开始起步。这一时期，PERC电池核心设备的供应由国外厂商垄断，国内厂商开始推出国产设备的试验与小规模量产，但此阶段国产设备尚未涉及PERC电池背面钝化，设备性能与国外相比仍有较大差距。
2)-年：PERC效率提升推动产能扩张，国产设备技术逐步成熟
随着PERC电池技术的成熟，至年底，PERC电池的平均转换效率提升至21.3%。这一时期的技术发展促进了PERC电池产能的进一步扩张。据CPIA数据，PERC电池的全球产能从年的4.9GW增长到年的28.9GW，年PERC电池的市场占比提升至15%。
设备端：国产设备工艺日趋成熟，逐步打破国外垄断。以国内设备商捷佳伟创为例，通过在电池片设备领域的深耕，其PECVD设备性能不断提升，年价格已下降至68.79万/管。国产PERC电池设备的性价比日益凸显，成功打破国外厂商对核心设备供应的垄断。
3)-年：PERC电池产能爆发式增长，核心设备完成国产替代
成本下降促进PERC电池产能激增，各大光伏企业布局GW级扩产项目。由于转换效率的提升和设备价格的下降，PERC电池产线的投资成本从年的42万元/MW下降至年的30.3万/MW，进而推动了PERC电池产能的爆发式增长，隆基、晶科、爱旭等标杆企业均推出了GW级扩产项目。年，全球PERC电池片新增产能高达59GW，同比增长%，总产能突破GW。
设备端：随着国产PERC设备的工艺基本成熟，高性价比的国产PERC电池设备成为主流，占据了市场50%以上的市场份额。年，通威向捷佳伟创采购PECVD设备的总金额超4亿元，标志着国产设备受到电池龙头的认可。
复盘渗透率的表现来看，年常规BSF电池依然占据主流地位，市占率仍高达83%。随着PERC电池经济性得到产业认可，PERC市占率从年的15%上升至年的86%，短短4年时间渗透率提升近6倍、全面替代BSF电池、爆发力极强，快速放量成为市场主流的技术路线。
我们判断，虽然未来2-3年PERC将仍为市场主流，但随着HJT、TOPCon设备的成熟、经济实用性达到平衡点，将复制PERC电池快速渗透的历程，快速爆发、开启下一代电池片技术生命周期。
3.异质结：“增效+降本”潜力巨大，是光伏未来颠覆性技术
3.1.HJT电池：产业化临近、规划产能超60GW，将取代PERC成为第三代电池片技术
晶体硅异质结太阳电池（HJT）是在晶体硅上沉积非晶硅薄膜，它综合了晶体硅电池与薄膜电池的优势，具有转换效率高、工艺温度低、稳定性高、衰减率低、双面发电等优点，技术具有颠覆性。
对比PERC电池，HJT潜力巨大，将成为第三代电池片技术主流。据我们综合测算，HJT在25年全生命周期综合发电量较PERC高15%-20%。
1)转换效率更优：HJT效率潜力超28%，远高PERC电池。受P型单晶电池自身材料的限制，PERC电池转换效率已接近天花板，而HJT最高转换效率已超26%（日本Kaneka曾创26.63%，国内最高为汉能的25.1%），长期有望超28%，效率优势明显。
2)工艺流程更简化，降本空间更大：HJT为低温工艺，在硅片成本（利于薄片化和减少热损伤）和非硅成本（燃料能源节约）上均更优。同时，HJT只需4道工艺，相比PERC（8道工艺）和TOPCon（9-12道工艺）成本更低。
3)光致衰减更低：HJT电池10年衰减率小于3%，25年发电量下降仅为8%，衰减速度远低于PERC及TOPCon电池。
4)低温系数、稳定性高：在82摄氏度环境下，HJT光电转换效率比传统组件高出13%。
5)双面率更高：HJT为双面对称结构，双面率有望提升至93-98%（PERC和TOPCon均在80%附近，但很难再提升），可获得10%以上的年发电量增益。
回顾历史：异质结（HJT）电池最早由日本的三洋（Sanyo）公司于年研发，专利保护于年过期。在过去30年间，产业经历了萌芽期、实验室阶段、初步的商业化阶段和逐步的产业化阶段。
据不完全统计，目前HJT国内规划产能超60GW，新老电池片厂商均有开始布局。安徽华晟（MW量产线）、明阳智能（5GW规划）、金刚玻璃（1.2GW规划）、爱康科技（3.4GW招标规划）、润阳集团（5GW规划）等已纷纷开始布局，历史包袱较轻。传统电池片厂商中，通威（金堂1GW量产线）、晶澳、东方日升、阿特斯、天合光能等也已相继进入，加速从PERC向HJT的转型。
展望未来：预计-年将成为HJT投资元年，行业扩产规模将达到10-15GW。随着设备国产化、银浆和靶材成本的降低、以及转换效率提升带来的“增效+降本”效益凸显，年行业将进入快速爆发阶段、扩产规模有望达30GW以上。
3.2.HJT设备：多技术路线“百花齐放”，国产设备厂将强力推动产业化进程
HJT4大工艺步骤：制绒清洗、非晶硅薄膜沉积、TCO制备、电极制备，对应的设备分别为清洗制绒设备、PECVD设备、PVD/RPD设备、丝网印刷设备,在设备投资额占比分别约10%、50%、25%和15%。
1）制绒设备：主要是利用化学制剂对硅片进行清洗和表面结构化，核心设备是湿式化学清洗设备。
主要厂商：日本YAC、德国Singulus、德国RENA。捷佳伟创的清洗设备已完成样机并交付。
2）PECVD（非晶硅薄膜沉积）：该步骤取代了传统PERC工艺中的扩散工艺，是构造异质结结构的关键，难度、壁垒最高，价值占到全部设备的50%，为异质结设备的核心。从技术路径上：板式PECVD是目前主流，管式PECVD、Cat-CVD具潜力。国外厂商包括：梅耶博格（已不对外提供）、应用材料等。国内厂商包括：迈为股份、金辰股份、捷佳伟创、理想能源、钧石能源等。
板式PECVD：将多片硅片放置在一个石墨或碳纤维支架上，放入一个金属的沉积腔室中，腔室中有平板型的电极，与样品支架形成一个放电回路，在腔室中的工艺气体在两个极板之间的交流电长的作用下在空间形成等离子体，分解SiH4中的Si和H，以及NH3中的N形成SiNx沉积到硅表面。优势：技术最成熟，易实现大面积均匀性，材料缺陷态密度低。
管式PECVD：使用像扩散炉管一样的石英管作为沉积腔室，使用电阻炉作为加热体，将一个可以放置多篇硅片的石墨舟插进石英管中进行沉积。优势：相比板式PECVD，成本端有更大的下降空间。
CAT-CVD：源气体分子在真空室中通过加热的催化剂进行催化裂化反应分解，并将裂解的物质输送到基材上形成薄膜。优势：相比传统PECVD，转换效率提升潜力大，对于源气体的利用率在80%以上。且Cat-CVD理论上可在热丝两侧同时沉积，生产速度更快。
3）TCO薄膜设备-PVD/RPD：技术壁垒低于PECVD，主要包括RPD和PVD两种的技术路径设备。目前主流技术路线是用PVD（物理气相沉淀），相较于PVD，RPD的效率和质量更高，但是受制于日本住友公司对设备和靶材的垄断，成本较高。
国外厂商包括：瑞士Meyerburger、德国Vonardenne、德国Singulus、日本住友等。
国内厂商包括：迈为股份PVD（MUP8K）设备已达到片/小时产能。捷佳伟创通过与日本住友合作也具备了RPD设备的供应能力，工艺成熟，并推出了PAR（RPD+PVD）二合一设备、在转换效率和成本端取得平衡。钧石能源、理想万里晖均有PVD设备布局。
4）丝网印刷机：包括丝网印刷（包括丝网印刷机，烧结炉，分选机）和电镀铜电极两种技术路线，目前以丝网印刷为主流。电镀铜电极相较而言更便宜，但是工序较多、工艺复杂、有废水处理难等问题，目前参与厂商较少。
国外厂商包括Baccini（AMAT的子公司）等。
国内厂商：迈为股份占主导地位，捷佳伟创、金辰股份也推出了相关产品。
目前，HJT设备4大环节均已实现国产化。国内电池设备厂商（迈为、捷佳、金辰、钧石、理想）已纷纷在HJT不同工序环节布局，实现小批量订单销售，推动HJT电池行业加速前进。
HJT技术壁垒高、成本优化空间大，只有将设备做到极致的企业能最终胜出。行业可能类似PERC时代，形成2-3家寡头垄断的竞争格局。
3.3.展望未来：成本降低是核心！预计年将具备产业化性价比、行业将爆发
电池片核心看单W成本：我们预计各项成本均有望在未来下滑，预计到年HJT将达到与PERC旗鼓相当的成本区间。4大降本方向分别为：
1)硅片：目前N型硅片对比P型具有约8%左右的溢价空间，未来有望通过2方面降本。
HJT为低温工艺，利于硅片的薄片化（从um降低至-um）。预计硅片每减薄20um价格可下降10-15%，对应组件价格降低5-6分/瓦。
随着未来N型硅片需求起量，规模效应将缩小N型与P型硅片之间的溢价空间。
2)设备折旧：随着国产设备的“降本+提效”，目前4-5亿/GW的设备投资额仍有较大的降本空间。
3)浆料：HJT需使用低温银浆，目前主要依赖进口，有望通过4大方向降本。
无主栅、多主栅技术在HJT电池、组件上的应用，使得银浆的耗量快速减少。
“银包铜技术”商业化量产，将降低银浆耗量30%。
通过对串焊设备精度的提升，减小银浆主栅上焊接点的大小（银浆主栅上耗银量较高的部分），从而节省主栅上的银浆耗量。
国产低温银浆起量（常州聚和、苏州晶银、浙江凯盈等），打破日本垄断，相比高温浆料的溢价将大幅消失。
4)靶材：目前主要被日本住友垄断，未来将通过提升靶材利用率、规模化回收、背面AZO替代和国产化（广东先导、壹纳光电等）降本等方式解决。
据测算，对比PERC电池目前约7毛/瓦的不含税总成本，HJT电池仍有2毛/W的成本劣势。预计随着设备厂商的技术进步（如转换效率和节拍的提升）、银浆、靶材的国产化（已有多家国产厂家布局）、硅片的薄片化（N型硅片厚度降至-μm），将共同推动HJT技术的真实降本，使得经济性进一步凸显，预计到年HJT将达到与PERC旗鼓相当的成本区间。
伴随HJT电池产业化经济性逐步接近、超越PERC电池，预计年将有10-15GW的HJT扩产潮，年将迎来30GW以上扩产潮，产线建设进入加速期。
3.4.市场空间：预计年HJT设备市场空间超亿，龙头企业市值将超千亿
我们对-年HJT市场空间进行测算，假设:
1)全球电池片产量从GW增长至GW，CAGR=24%，产能利用率为75%，产能从GW增长至GW。（年全球电池片产量为GW，yoy+23%，产能利用率为66%）；
2)未来5年HJT在行业渗透率从3%提升至55%；
3)设备投资额从5亿，以15-20%的年降幅下降至2.5亿元。
测算得出，年HJT设备市场空间有望达亿元，-年CAGR达80%，其中PECVD设备规模达亿元，市场将迎来爆发式增长。
通用设备行业具有较强的“先发优势”特征，在技术未成熟的初期，设备公司需要与下游客户进行不断的工艺磨合、验证。虽然前期成本较高，但一旦验证通过，将拿下绝大多份额，且不容易被其他竞争对手所替代。
对比PERC工艺，由于HJT单工艺步骤难度较大（更偏向于半导体工艺）、前期研发投入成本更高，当行业进入成熟期，我们预计会类似半导体设备行业（应用材料+泛林半导体），由2-3家占据90%以上市场份额。
我们对年HJT设备亿市场空间，进行合理市值空间测算：
1)假设HJT设备净利率20%（参考捷佳PERC设备在-年左右的盈利表现，40%毛利率，20%净利率，HJT设备技术壁垒较PERC更高，盈利能力预计不弱于PERC设备），对应约80亿利润；
2)给与设备行业25倍PE估值（迈为、捷佳上市以来PETTM基本在30-35倍PE以上），对应支撑亿市值。
3)基于设备行业集中度较高的特征（通常2-3家占据90%以上市场份额），假设行业基本面没有大的变化，市场将有望诞生千亿市值公司！
4.TOPCon：后PERC时代的延伸技术，有望接力放量
4.1.PERC电池效率瓶颈将至，TOPCON将迎存量市场升级需求
TOPCon太阳能电池-TunnelOxidePassivatedContactPassi是一种使用超薄氧化层作为钝化层结构的太阳能电池。由德国Fraunhofer研究所的FrankFeldmann博士在年称的电池概念，近2年开始逐步实现产业化。
TOPCon原理：在电池的背面制备一层超薄的隧穿氧化层和高掺杂的多晶硅薄层。两者共同形成的钝化接触结构，为硅片的背面提供了良好的表面钝化。超薄氧化层可以使多子电子隧穿进入多晶硅层时租到少子空穴复合，进而电子在多晶硅层横向传输被金属收集，从而降低了金属接触复合电流，提升了电池的开路电压和短路电流。
TOPCon结构：电池基板以N型为主，使用一层超薄的氧化层和掺杂的薄膜硅钝化电池的背面。背面氧化层厚度为1.4nm，采用湿法化学生长，随后在氧化层上，沉积20nm掺磷的非晶硅，之后经过退火重结晶加强钝化效果。
TOPCON将为PERC打开天花板。从未来2-3年的维度来看，因存量PERC电池体量较大（年底PERC产能将超GW）、且绝大多为近2年新上产能，有较强的升级需求，叠加HJT设备投资短期不具备性价比等因素。存量电池片厂商将更优先选择通过对原有PERC工艺进行技术升级（即升级TOPCON）,来提升电池的转换效率。
TOPCon几大核心优势：
1)兼容性：与传统PERC电池产线具有兼容性，可直接升级。由于TOPCon电池和PERC电池的制作工艺流程相似，因此大部分设备可以和PERC产线共用，只需增加硼扩散设备、薄膜沉积设备和去绕镀环节清洗设备。
2)转换效率：提升潜力远高于PERC电池。据知名太阳能研究所ISFH分析，理论上TOPCon电池的效率极限远高于P型PERC电池（TOPCON极限达到28%以上），具有更高的提升潜力。就目前量产效率而言，TOPCon电池的量产效率已提升至24%附近，而PERC电池的量产效率在23.5%以内。
3)设备投资额：有望持续降低，性价比凸显。由于与PERC产线兼容，TOPCon单GW设备投资额较PERC仅增加20-30%。随着核心设备的LPCVD国产化，TOPCon设备投资额已下降至目前的2.1-2.3亿元/GW（相当于基于PERC老产线，增加0-万投资），性价比逐步凸显。
目前PERC产线扩张即将进入尾声，而HJT技术仍存在设备成本较高的问题（单GW投资成本为4-5亿元左右）。
据不完全统计，目前国内PERC+/TOPCon电池计划产能已达75GW。
4.2.TOPCon多技术路径并存，-年迎行业爆发期
在TOPCon核心的薄膜沉积工艺设备中，LPCVD为目前市场主流。我们判断，未来管式PECVD可能成为行业趋势，ALPVD具一定潜力。
1)LPCVD:可一站式完成隧穿氧化层和poly层的制备。热氧和淀积poly层两个工艺二合一能够大幅提高产能，降低设备成本。热氧工艺完成后在低压状态下进行淀积poly层，除节约时间外，更重要的是能够对超薄氧化硅层起到保护作用，一方面使氧化层不会在出舟过程中被进一步氧化，失去隧穿效应；另一方面氧化层也不会在空气中被污染。优势：相比PECVD和ALPVD技术较为成熟，可靠性高，厚度均匀性好。
2)管式PECVD:在一定温度下，通过高压放电(通常在反应炉周围施加混合频率的RF电磁场)，使得原材料其它发生电离，产生自由电子、等离子体、中性粒子混合态。多种粒子混合态中，电离导致化学基团活性增强，化学反应所需要的环境温度降低；同时电离导致粒子密度增加，各种离子之间的碰撞概率增加，从而也促进气体的反应以及薄膜沉积。优势：沉积速度快、沉积温度低（℃），相比LPCVD成本更低。
3)PEALD：是一种化学气相沉积技术，最初被用于生产纳米结构的结缘体和薄膜电致发光显示器的硫化锌发光层。可以将物质以单原子膜形式一层一层的镀在基底表面的方法。优势：相比LPCVD和PECVD稳定性、适用性高。
目前，在TOPCon设备领域布局的主要企业包括：金辰股份、捷佳伟创、拉普拉斯、江苏微导等，多技术路径厂家并存。
金辰股份：管式PECVD布局领先，以累计获3家客户导入。
1)继6月SNEC光伏展后，公司管式PECVD技术获重要客户晶科引入，标志着公司TOPCon技术获市场进一步验证。目前，晶科已具备GW级TOPCon量产布局，量产转化效率达24.5%。5月底，晶科TOPCon研发效率达25.25%，创下大面积N型单晶钝化接触电池效率世界纪录。
2)此前，公司TOPCon技术已导入晶澳、东方日升2家客户。东方日升平均效率已≥24%+（经过半年时间），晶澳已进入中试提效阶段（经过一年半时间）。
3)年起，公司与中科院宁波材料所合作研发TOPCon，目前已实现管式PECVD设备、“超薄氧化硅+原位掺杂非晶硅”核心材料制备，在抑制非晶硅爆膜、防止电场导通等取得重大突破。
捷佳伟创：具TOPCon整线设备供应能力，在行业保持技术领先地位。
1)公司核心布局LPCVD，设备性能已达到海外领先水平。公司持续研发LPCVD硼扩散等设备，自主研发的LD-型号已实现量产（适用于尺寸），针对TOPCon电池的大口径LD-型LPCVD设备样机已完成装配，处于调试阶段。
2)同时，公司已布局管式PECVD技术进行TOPCon电池的掺杂和隧穿层制备，目前进展较好，有望解决LPCVD设备镀膜产生的绕镀问题。
3)截至年2月22日，公司PERC+/TOPCon在手订单达0.75亿元。因TOPCON设备的下游客户与PERC设备基本重合，公司作为传统PERC设备龙头，我们预计有望占据较大的市场份额。
深圳拉普拉斯：覆盖TOPCon全工艺流程设备，LPCVD设备布局领先。主要产品线包括：
1)等离子增强化学气相沉积镀膜系统PECVDTwinLPE/10：可应用于各种高效电池AlOx和SiNx生长工艺，为各类太阳能电池生产和研发的核心工艺设备。
2)等离子增强化学气相沉积水平镀膜系统PECVDVEGALVG/0X：可应用于各种高效电池AlOx和SiNx生长工艺，为各类太阳能电池生产和研发的核心工艺设备。
3)低压水平化学气相沉积镀膜系统LPCVDLLP/05：可应用于N-TOPCon电池的隧穿氧化层与非晶硅生长工艺，为下一代高效N-TOPCon电池的核心工艺设备。
4)低压水平硼扩散系统LRB/05：可应用于P型掺杂，N-PERT和N-TOPCon电池的P型发射极工艺，为下一代高效N-TOPCon太阳能电池的核心工艺设备。
江苏微导：采用适用于TOPCon技术的ALD设备，已进入量产阶段
1)夸父系列原子层沉积镀膜系统（ALD）：采用自主知识产权的反应腔体设计和先进的薄膜沉积技术,确保为晶硅太阳能电池表面钝化提供高质量超薄三氧化二铝钝化膜。产能为0(片/小时，10nm)
2)后羿系列板式化学气相沉积/原子层沉积镀膜系统：微导HY0系统结合了空间CVD和ALD技术和专有的上下料自动化可进行自动在线三氧化二铝薄膜钝化层工艺。专用于大批量生产单面钝化层，后羿系统可提供高质量的钝化膜和低生产成本。产能为0(片/小时，10nm)
3)以上两种工艺设备均用于镀膜步骤中的生成三氧化二铝钝化薄膜层工艺，可显著提高良率降低成本。
TOPCon核心市场需求在于PERC存量市场的升级，我们对-年TOPCon产能进行进一步测算。
5、重点企业分析（略）
重点异质结设备相关上市公司:迈为股份(PERC丝网印刷+HJT电池片设备);捷佳伟创(PERC+HJT+TOPCon电池片设备);金辰股份(光伏组件设备;HJT+TOPCon电池片设备);上机数控(异质结N型硅片切片机+异质结薄片化N型硅片)。
非上市公司:理想万里晖、钧石能源。
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作者/来源：未来智库
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