2020光伏设备投资攻略全国能源信息平

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事情正在起变化,有人欢喜有人忧。

从全球看,即使偶有波折,但较高的性价比为光伏发展提供了有力的支持,根据可再生能源署(IRENA)给出的发展路线图预测,到年光伏的全球总装机量将达到GW,占所有能源的比重超过40%,成为最主要的发电形式。

年开年至今,虽有疫情影响,但“出乎意料”,大量企业“逆势”扩产。可以说,“1GW级”的投资在巨头的眼中只能算是小打小闹,很多巨头的扩张规模都以5GW、10GW计,投资规模更是以数十、上百亿计。黑鹰光伏此前曾详细统计发现,上半年光伏领域的新产能投资超过亿元。

在光伏步入平价上网的前夜,整个产业进入扩产周期,在光伏企业密集扩产背景下,光伏设备商迎来了新的发展黄金期。本文是年光伏设备投资机遇解析与精要。特别申明,此文意在为读者提供参考视角,并不做为投资建议。

由于单晶硅片在各方面性能上优于多晶硅片,且转换效率处于领先位置。行业内对单晶硅片的需求逐步增大,单晶份额持续扩大使得龙头企业隆基股份近年来开始大规模、高频率的扩产投资,进而推动硅棒和硅片的扩产潮。按各企业的产能规划,预计年新增产能超过50GW,其中隆基新增25GW,中环新增20GW,其他新增5GW,未来两年扩产规模仍将持续增加。

(一)单晶炉市场空间较大

单晶炉是一种在惰性气体(氮气、氦气为主)环境中,用石墨加热器将多晶硅等多晶材料熔化,用直拉法生长无错位单晶的设备,是硅棒生产的最主要设备。从单位产能设备的价值来看,单晶炉的市场空间是所有硅片生产设备中最大的,按照目前扩产情况估算,50GW的扩产规模、单晶炉投资额约为2亿元/GW,未来三年单晶炉的年均市场规模将超过亿元。

单晶炉大型化趋势形成,单炉投料量大幅增加。近年来,随着坩埚制作工艺和拉棒技术的提高以及单晶炉的设计优化,单晶炉的单炉投料量迅速提升,生产效率大幅提高。根据CPIA数据,目前业内先进的单晶炉投料量已经达到kg左右。

(图表资料来源:CPIA)

目前国内单晶炉市场呈现大连连城和晶盛机电的双寡头格局。大连连城作为隆基股份的独家供应商,具有较强的业绩基础;而晶盛机电的技术水平和产品质量在行业内处于领先地位。

(二)薄片化降低硅耗,综合成本继续下降

根据ITRPV数据,硅片成本大约占电池片价格的52%,行业对硅片生产成本的下降有较高的需求。未来切片机将通过降低硅片厚度、切割损失以及提升回收利用率等方式持续降低单位硅耗,来达到降低生产成本的目的。

根据CPIA数据,行业单晶硅片的平均厚度已由年的μm降至年的μm左右,薄片化技术的推进使得单片硅耗逐步下降,据ITRPV预计,到年M2单晶硅片的单片硅耗有望低于13g,较目前下降近13%。技术的不断革新加快了切片机的更新换代频率,因此,未来切片机市场也将有较大需求,按万元/GW的设备投资额测算,预计未来三年将有近百亿的市场规模。

(图片数据来源:ITRPV)

上机数控作为国内切片机龙头,通过逐步缩小与国外先进企业的差距,市场占有率稳步提升,在未来切片技术高速革新的背景下,上机数控有望出现高速发展期。下图为上机数控金刚线切片机:

我国电池片产量占全球市场份额超过七成,是最大生产国。产量的提高叠加技术革新速度加快共同促进了电池片企业加速扩产,相关设备生产商将充分收益。

(素材来源:国家统计局,万联证券研究所)

光伏电池有众多不同的技术路线,按材质不同可分为晶硅电池和薄膜电池,近年来,晶硅电池成为行业主流趋势而薄膜电池应用范围逐步缩小。

在晶硅电池里又有许多不同的技术路线,如Al-BSF(铝背场电池)、PERC(发射极钝化和背面接触)技术、TOPCon(隧穿氧化层钝化接触)和HJT(具有本征非晶层的异质结)技术等。目前PERC已经取代AL-BSF成为主流,HJT未来前景广阔,根据ITRPV预测,到年PERC技术占比将超过70%,异质结占比超过15%。

(素材来源:ITRPV,万联证券研究所)

从生产流程上来看,PERC工艺最为复杂,HJT环节最少。但PERC技术可以在原有BSF生产线的基础上通过增加沉积设备和激光开槽设备来实现,然而由于HJT技术对清洁度要求更为苛刻,并且要进行多层镀膜,因此从技术难度的角度来看,PERC技术较为容易实现。此外,由于PERC技术目前成熟度较高,单位产能的投资额相较于HJT技术也有明显的优势。

1、PERC技术正当时,PECVD和激光设备商受益

从现有技术成熟度和转换效率来看,PERC技术是性价比最高的技术路线,根据CPIA《中国光伏产业发展路线图(年版)》数据,年PERC产线的平均投资成本已经降至3.03亿元/GW,同比下降27.86%,降幅远超去年路线图的预期。

PERC技术的性价比显著,并且在当前效率基础上还有向上空间,因此国内各电池厂纷纷大力投资扩大PERC产能。根据PVInfoLink数据,年单晶PERC电池产能将达到GW,而据EnergyTrend统计,预计年前15家电池厂的PERC产能就将超过GW,未来几年全球PERC产能将持续高速增长。

由于PERC需要在背面沉积氧化铝镀膜并增加激光开槽的流程,因此在扩产能过程中相关PECVD和激光设备企业将充分受益。

2、PERC+通过技改实现,经济性优势凸显

从目前的技术路线情况来看,PERC已经成为P型电池的绝对主流技术,近年来,对PERC技术的改进提升也在持续进行,PERC+的时代已经来临。

PERC+SE(选择性发射极)技术,通过在金属栅线与硅片接触部位进行高浓度掺杂,在电极外进行低浓度掺杂,降低了接触电阻并提高了少子寿命。通过在PERC产线上增加掺杂用激光设备便可实现0.3%的效率提升,性价比极高。

(资料来源:光伏测试网,万联证券研究所)

PERT(钝化发射极背表面全扩散)电池,是典型的双面太阳能电池并且能够兼容N型硅片,能在PERC产线基础上提高较大效率。通过背面扩散形成背场,PERT电池能够实现背面的效率增益。然而,与双面P型PERC技术相比,PERT技术并没有效率或成本上的优势,因此目前业内对于PERT的投资较少。

TOPCon(隧道穿越氧化层背面接触)技术,是在电池背面制备一层超薄的二氧化硅和一层高掺杂的多晶硅薄层,二者形成的钝化层能够很大程度上降低背面复合,从而提升N型电池的效率。TOPCon仅需在PERT的基础上增加LPCVD(低压化学气相沉积)设备便可实现,性价比较高,预计未来将占有有一定量的市场。

3、异质结前景广阔,静待设备国产化

异质结电池最早由日本三洋公司在年开发,是通过晶体硅基板和非晶体硅薄膜混合制成的太阳能电池,在钝化效果、稳定性、转化效率、迁移率以及能量损耗方面较其他技术路线均有一定优势。

异质结电池的工艺技术难度虽然较高,但流程较为简洁,大体上分为四步。第一步,与常规电池相似,通过刻蚀去除硅片表面的损伤层,然后进行制绒处理;第二步,在硅片两侧沉积本征非晶硅薄膜,然后在硅片两侧沉积极性相反的掺杂非晶硅薄膜;第三步,在两侧镀上透明氧化物导电薄膜;第四步,进行丝网印刷。

在整个生产流程中,丝网印刷与传统技术路线的差别并不大,而前面三步的差异较大,技术上也有较大的难度。

(一)制绒清洗

由于HJT电池的工艺要求较高,因此制绒清洗流程也较为严苛。目前业内主流的两种清洗流程为RCA清洗和臭氧清洗。RCA清洗金属杂质含量较低,但引入氨水会增加表面粗糙程度并且成本较高;臭氧清洗能够获得较为平滑的表面成本也较低,但衬底表

面会残留较多金属杂质。

(二)非晶硅沉积

对于非晶硅膜层的沉积,技术上主要分为HWCVD(Cat-CVD)(热丝化学气相沉积)和PECVD(等离子体增强化学气相沉积),其中PECVD又分为动态和静态两种技术路线。目前来看,主流的技术主要集中在PECVD,只有少数厂商生产HWCVD设备,如日本的爱发科。

在动态和静态PECVD的对比上,由于动态PECVD的工艺时间减少了70%,因此动态PECVD在成本控制上要优于静态PECVD。此外,因为等离子体处于持续工作状态,较为稳定,所以动态PECVD的薄膜质量也要优于静态PECVD。

(来源:迅立光电,万联证券研究所)

(三)TCO(透明导电氧化膜)镀膜

HJT电池的TCO薄膜沉积主要有两种方法,RPD(反应等离子体)和PVD(物理气相沉积)。RDP工艺相较于PVD对硅衬底轰击较小,镀膜质量和效率均较高,然而由于其核心配件和靶材IWO(氧化铟掺钨)被日本住友重工垄断,因此RPD的成本较PVD要高出许多。

从目前的情况来看,PVD路线的成本优势使得其市场份额要高于RPD路线。但是,捷佳伟创已经获得了住友在中国的独家授权,随着RPD国产化推进以及靶材的替代,RPD的优势将逐步凸显,未来更看好RPD和PVD一体的设备前景。

(四)丝网印刷

HJT的丝网印刷环节与传统工艺差别并不大,均采用普通的钢丝复合网,只是在细栅线条数上会有一定差异。

(五)与PERC相比,HJT经济性仍不足

由于目前异质结产线多采用进口设备,异质结单位产能投资额仍然处于较高水平,目前主要处于中试线阶段。根据某代表性企业公告,目前纯进口设备的异质结产线单GW投资额约为10亿元,远高于2.5亿元/GW左右的PERC产线设备投资额,而单晶PERC电池目前效率最高已经突破23%,仅低于异质结1%左右,用4倍的投资额换取1%的效率提升尚不具备经济性。

异质结技术的进一步普及仍需要设备价格的大幅下降。根据东方日升的数据,PECVD占所有设备投资额比例最高,达到40%-50%,因此未来PECVD的降本任务将是HJT技术推广普及的关键。

(六)降本主要依靠国产替代

若各设备国产化顺利,异质结设备成本将大幅下降,按照目前各企业情况,预计单GW全国产设备投资额将降至5亿元/GW附近,HJT技术的经济性将逐步显现。

此外,目前异质结单设备的产能仍以MW/条线为主,未来通过大硅片等措施提升单设备产能,设备成本有望进一步摊薄。目前异质结设备各环节技术路线众多,未来随着产业成熟度提高,最优技术路线逐步确定,设备成本仍将有一定的下降空间。

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