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重申HJT技术变革
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重申HJT技术变革：继PERC后新一代光伏电池技术，大概率成为未来光伏电池片的主流技术。主要原因在于HJT电池光电转换效率高，意味着在相同的条件下，电池能转换出更多的电量，可以缩短用户投资回报期。而HJT电池相比起目前其它电池片技术，其基础光电转换效率更高，提升空间也更大。年光伏行业单晶电池片（PERC电池等）平均转换效率为22.3%，再提升的空间较小，理论极限值约为24%，但是HJT电池转换效率已经可以达到23%-24%,理论效率更高达28%左右，最低转换效率就是传统主流电池的上限。随着HJT成本的逐渐降低，尤其是明年成本将降至和PERC相当，这意味着HJT产业化将很快落地，这将是光伏产业链的重大变革。HJT电池投放节奏：当前总规划产能在60GW，近两年投产30GW左右。晶体硅异质结太阳电池（HJT）是在晶体硅上沉积非晶硅薄膜，它综合了晶体硅电池与薄膜电池的优势，具有转换效率高、工艺温度低、稳定性高、衰减率低、双面发电等优点，技术具有颠覆性。目前HJT国内规划产能超60GW，新老电池片厂商均有开始布局。爱康科技、通威股份等企业纷纷开始布局。伴随HJT电池产业化经济性逐步接近、超越PERC电池，预计近两年迎来30GW以上的扩产潮，产线建设进入加速期。HJT技术变革对产业链的影响
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相比于PERC电池，HJT电池的主要增量在银浆和靶材，从每W电池成本来看，PERC电池的主要成本在硅片，而HJT电池的主要成本在硅片和银浆；银浆的价值量提升了11%，靶材的占比量提升了7%。第一，设备：技术方面，当前区别主要在镀膜环节；市场空间方面，按照目前的扩产计划，以及每GW投资3.5亿元计算，近两年市场空间为约40亿元；根据目前所有扩产计划60GW则市场空间为亿元，四年复合增速达%。HJT设备共有四大工艺步骤，对应的设备分别为清洗制绒设备、PECVD设备、PVD/RPD设备、丝网印刷设备,在设备投资额占比分别约10%、50%、25%和15%，目前，设备的技术区别主要是在镀膜环节（PVD/RPD设备）。目前主流技术路线是用PVD（物理气相沉淀），相较于PVD，RPD的效率和质量更高，对HJT电池转换效率较PVD法高0.3-0.4%，但是受制于日本住友公司对设备和靶材的垄断，成本较高。迈为股份和捷佳伟创选取不同工艺方法，迈为股份选择使用PVD设备，捷佳伟创选择使用RPD和PAR设备。但是目前迈为拥有整线供应能力，所以整体认可度高于捷佳伟创，假设未来60GW在四年内投产，保守估计，迈为和捷佳伟创预计能拿下一半的市场份额，预计年迈为股份市占率35%，捷佳伟创25%，也就是仅HJT设备端，迈为股份和捷佳伟创年预期营收分别为73.5亿元，52.5亿元，是年全年营收的3倍、1.3倍。第二，低温银浆：低温银浆是HJT电池的主要原料之一，在生产成本中占据很大的比重（占比约25%）。预计到年，低温银浆市场规模突破亿元，年市场份额在12.2亿元，五年十倍空间，五年复合增长在58%左右。后续可以通过多主栅技术、银包铜技术等来降低银浆成本。低温银浆是HJT电池的主要原料之一，在生产成本中占据很大的比重（占比约25%），是影响到整个电池成本的重要因素。在技术方面，低温银浆需要兼顾导电率、焊接拉力和印刷性，开发难度较大，成为了阻碍国产银浆发展的壁垒。预计到年，低温银浆市场规模突破亿元，年市场份额在12.2亿元，五年十倍空间，五年复合增长在58%左右。需求从年的吨上升到年的吨。早期，国内电池生产商使用的银浆主要以进口银浆为主，因此低温银浆价格高昂，也成为了国内异质结产业扩产的一个重要阻碍。后续可以通过无主栅、多主栅技术、银包铜技术来降低银浆成本。苏州固得：当前光伏银浆的市占率为10%，苏州固德是我国低温银浆的核心公司，预计未来公司低温银浆的市占率在30%左右，对应年的营收达到36亿元，是年营收的2倍。第三，靶材：靶材是HJT相较于PERC电池的新增量，并且也存在国产替代的空间，预计至年市场空间70亿元，靶材也会带来上游金属铟的需求放量。光伏行业传统技术对靶材没有需求，而新型HJT技术需要使用ITO靶材。每1GW的HJT约需要25吨-27吨ITO靶材。若年HJT市场达到GW，则ITO靶材需求达到吨，是当前面板市场的2倍，以当前靶材成本计算，市场规模将达70亿元。但是目前靶材被日本住友公司垄断，成本较高，国内厂商广东先导(非上市)、壹纳光电(非上市)、隆华科技正在加速技术研发。靶材的需求也会带动上游小金属铟的需求变好，需求方面，年HIT进入年10GW级别增速，保守算超过吨，远期按照HBCGW产能计算拉动超过吨，相当于需求翻倍。供给方面，铟是伴生的非计价品种，全球铟矿的开采成本远高于副产铟，供给来自头部锌冶炼企业从废渣中回收。第四，硅片：薄片化本身是趋势，每减薄20um价格可下降10-15%，HJT电池的薄片化和降本需求加速了薄硅片的需求。薄片化本身是光伏硅片发展的一个趋势，但是因为HJT电池本身薄片化特征更加明显因此对更薄的硅片的需求是直接的推动。硅成本在HJT电池中成本占比约48%，主流PERC电池硅片厚度为μm-μm（已接近厚度极限），量产HJT硅片厚度已经做到μm，N型硅片具有更大的薄片化空间，厚度有望降低至μm，而预计硅片每减薄20um价格可下降10-15%，对应组件价格降低5-6分/瓦。相关公司高测股份提出可调整轴间距切片方案，已经可成功生产+半片+厚度um硅片（1.25pct左右损耗），有望降低HJT硅片成本20%-30%。第五，组件技术：组件增加HJT性价比的方式主要是通过增加发电效率来实现，HJT电池片适合叠瓦、HBC、SMBB（多主栅）等技术。组件的各项技术不单单是因为HJT电池而诞生，但是HJT电池自身更薄的特性，更适合叠瓦，多主栅等技术，以SMBB（多主栅）为例：SMBB是平台型技术，并非HIT技术的专利，如果未来SMBB更加成熟，则也可以适用于TOPCon降本。SMBB本质上还是减少银浆的耗量，SMBB的难点不在电池端，丝印环节的难度不大，难点在组件环节，更细的栅线配合更细的焊带，串焊的难度增加了，因此能够给串焊设备带来更多需求。在基于上述讨论的基础上，我们今天整理了一份“HJT技术变革下核心受益个股”，凡是点了“在看”者，在进入研讯社的